Иваз намудани муқовимат бо шиддати баланд

Alternative equivalent for HJ651M0CZ TE Connectivity Passive Product high voltage thick film RES 1M OHM 0.25% 1W AXIAL

Эквиваленти алтернативии HJ651M0CZ TE Пайвастшавӣ Маҳсулоти ғайрифаъол Плёнкаи ғафси баландшиддати RES 1M OHM 0.25% 1W AXIAL

Тавсифи: Ширкати HVC муодили алтернативӣ барои филми ғафси баландшиддати Ohmite RES 1M OHM 0.25% 1W AXIAL барои резисторҳои TE Connectivity Passive Product EBG Ohmite HV пешниҳод мекунад.
Акнун дархост фиристед

Хусусиятҳои протсесс

TYPE	ТАВСИФИ
Қиссаҳои Шумо	HJ651M0CZ
категория	Resistors
оила	Тавассути резисторҳои сӯрох
Истеҳсолкунандаи аслӣ	Маҳсулоти ғайрифаъолияти TE
Тавсифи	RES 1M OHM 0.25% 1W АКСИАЛ.
муқовимат	1 МОм
таҳаммул	± 0.25%
Ҳокимият (Ватт)	1W
таркиби	Филми ғафс
Вижагиҳо	Шиддати баланд, тобовар ба намӣ
Коэффитсиенти ҳарорат	± ± 100 ppm/° ° C
Ҳарорат амалиётӣ	-55 ° С ~ 150 ° С
Бастаи / Парвандаи	Меҳварӣ
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда	Меҳварӣ
Андоза / андоза	0.177 "Dia x 0.571" L (4.50mm x 14.50mm)
Баландӣ - Нишаста (Макс)	-
Шумораи қатъиҳо	2
Меъёри нокомӣ	-

Муқовимати филми ғафси баландшиддат як намуди муосири резистори тарҳрезишудаи индуктивӣ мебошад, HVC модели алтернативӣ барои Ohmite, Vishay, HV резисторҳои ғафси филми HB EBG-ро пешниҳод мекунад, барои тафсилот инҷоро санҷед: https://www.hv-caps.com/products/High-Voltage-resistor-Flat-Style.html

Пеш аз:1-12-1006J Ohmite филми ғафси баландшиддати RES 100M OHM 5% 2.5 Next:25959-3 TE Пайвастагии ғайрифаъол Маҳсулоти шиддати баланд fi fi